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變頻器逆變電路維修

西 6SE70 系列變頻器逆變電路主要 IGBTIGD、容等組成 IGBT 是整個逆變電路的核,IGD 則提供了IGBT 的觸發(fā)、監(jiān)控和保護(hù)功能,本文 6SE70 系列變頻器逆 電路核心部分的構(gòu)成及常見損壞原因進(jìn)行簡單闡。


1    絕緣柵雙極型晶體IGBT


1.1 IGBT 常見的故障及診斷


IGBT 的構(gòu)成原理可以看出柵極和發(fā)射極之間有較大 相鄰面積且被一層極薄的二氧化硅絕緣柵隔  形成了一個,  所以正常狀態(tài)下 IGBT G-E 之間測量到電容 IGBT 的容量越大電容值就越。  在制造工藝上為了提 IGBT 的效率,二氧化硅絕緣柵做得非常,因此其耐壓值  西門子逆變器所使 IGBT G-E 之間的耐壓值只 20V,超過該電壓將導(dǎo)致絕緣柵被擊穿而損 IGBT, CGE 的電容特性將消,  所以通過測 CG-E 容特性是否存 可判 G 極是否損壞。  同樣 CG-C CE-C 也可判 C E 的情況。


1.2 IGBT 常見的損壞原因


1.2.1 dv dt 造成的柵極擊穿


GC GE 之間均存在著電容特性,當(dāng)柵極懸空時,若 在 CE 之間忽然加上一個高電  該電壓將 CCG CGE ,造成柵極電位超 20V 從而擊穿絕緣。 因此在使用絕緣表測 IGBT 耐壓時必須用導(dǎo)體短 GE。 在安 IGD 時也必須保證柵 極 IGD 可靠接觸。   IGD 上存在一個短接 GE 之間的高值電 RGE 以防止充電時電壓升高帶來 dv dt 穿 IGBT。  在關(guān) IGBT 時也能起到快速釋放柵極電荷加速關(guān)斷的作。


1.2.2  擎住效應(yīng)


IGBT 內(nèi)部存在一個等效的 PNP 和一個等效 NPN 三 極 這兩個三極管又組成一個等效的晶閘管。  正常工況下 NPN


三極管不起作用而當(dāng)電流超出一定范圍,該三極管會導(dǎo)致 IG- BT 失控,產(chǎn)生擎住效應(yīng)當(dāng)擎住效應(yīng)發(fā)生后門極將完全失去對 IGBT 的關(guān)斷能力,IGBT 會一直導(dǎo)通直至燒毀


1.2.3  過流損壞


IGBT 工作時需要在柵極加一個正電壓以 P 溝道的子形成一個臨時 N 性半導(dǎo)體區(qū),N 性半導(dǎo)體區(qū)域的厚度 柵極電場強(qiáng)度決,柵極電場強(qiáng)度越弱,則該區(qū)域越薄,IGBT 通態(tài)電阻越大,管壓降和熱耗損也就越大  在不同觸發(fā)電壓下, IGBT 允許流過的電流是不同。  若實(shí)際電流超 IGBT 的額值將可能導(dǎo) IGBT 損壞。

當(dāng)流 IGBT 的電流超過最大允許電流但小于發(fā)生擎住 應(yīng)的電流時  雖然可以通過外部電路關(guān) IGBT 以進(jìn)行過流護(hù),但這樣的保護(hù) IGBT 的使用壽命是有影響一般 IGBT 可承受過流保護(hù)次數(shù) 1000 次左右,超過后將會損 IGBT。 1.2.4  散熱不良造成的熱擊穿

當(dāng) IGBT 流 過 大 電 流 時會產(chǎn)生很大的熱量 , 以 型 號 為 FZ1200R12KF4 IGBT 為例, 其在 25℃下運(yùn)行時的最大功耗 可達(dá) 7.8kW,雖然散熱器上安裝有溫度傳感器具有熱保護(hù)的功 , 但當(dāng) IGBT 與散熱器之間的導(dǎo)熱硅脂過厚或過少時 ,IGBT 釋放的熱量無法正常傳遞到散熱器, 在溫度傳感器尚未探測到 過溫前 IGBT 可能已經(jīng)損壞了。

 IGD

2.1 IGD 的基本構(gòu)造及工作原理


IGD 從構(gòu)造上可以分為三大DC-DC 隔離電源、  關(guān) 觸發(fā)電路 UCE  監(jiān)控電路。  其中離電源 PSU 提供的直電壓進(jìn)行中頻振蕩后輸入到隔離變壓器的初級線,  通過二管和電容對隔離變壓器次級線圈的輸出電壓整流平波后 IGD 供電。  使用隔離電源進(jìn)一步穩(wěn)定 IGBT 的觸發(fā)電壓,防止電波動損 IGBT 的觸發(fā);  當(dāng) IGD 損壞時隔離電源也可以防 功率部分的高壓串 PSU 造成更大范圍的破。 6SE70 系列頻器的隔離電源輸入電壓 15VMicroMaster SINAMICS 系列的隔離電源輸入電壓 24V。




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